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中國實現12英寸碳化矽外延晶片全球首發分享到：
      香港中通社12月24日電 12月24日，據晶盛機電官微消息，日前，全球首款300毫米（12英寸）碳化矽外延晶片在中國成功開發並實現技術首發，這一進展有望為中國第三代半導體產業規模化、低成本應用奠定關鍵基礎。
碳化矽是第三代半導體核心材料，相較於傳統矽材料，在耐高壓、耐高溫和高頻性能上優勢顯著。此次突破的12英寸碳化矽外延晶片由瀚天天成電子科技（廈門）股份有限公司研發，其直徑較當前主流的6英寸產品大幅提升。 技術數據顯示，單片12英寸碳化矽外延晶片可承載的芯片數量是6英寸產品的4.4倍，是8英寸產品的2.3倍。這意味著在相同生產工序下，單片可承載芯片（器件）數量進一步擴容，從而可降低下游功率器件製造成本，加速其在新能源汽車、光伏發電、智能電網、軌道交通及航空航天等領域的規模化、低成本應用。 第三代半導體碳化矽比第一代矽半導體擁有更優的高頻、高壓、高溫能力。這一突破不僅能顯著提高下游功率器件的生產效率，更將大幅降低碳化矽芯片的單位製造成本，為碳化矽產業規模化、低成本應用奠定關鍵基礎。（完） 相關新聞
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