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台積電3納米製程提前一年加速赴美 背後存兩大壓力分享到：
      香港中通社12月30日電 據韓國媒體披露，台積電正加速其在美國亞利桑那州生產基地的技術推進進程，計劃將3納米制程的大規模生產啟動時間提前至2027年，較最初規劃提前約一年。
日本媒體也指出，台積電2026年夏季將在美國亞利桑那州第二座廠，安裝3納米晶片製造設備，目標是2027年啟動3納米晶片量產，比原訂的2028年提早一年。符合台積電董事長暨執行長魏哲家先前喊出將美國量產時程“提前數季”的目標。 近年來，台積電加速海外擴張戰略，在美國亞利桑那州的項目是其擴張戰略的重要一環。據了解，台積電位於該州的第一座晶圓廠已實現4納米製程並正式投產；第二座工廠則專注3納米製程工藝，且目標年份定於2027年。 為加速先進製程在美國落地，台積電也同步啟動人才培訓計劃，分批派遣數百名亞利桑那廠工程師返台，接受3納米與2納米製程訓練，為後續試產與量產做好準備。 有分析指出，台積電加速擴張計劃的原因在於市場對於先進製程的需求持續高漲，以及美國“先進製程回流”策略的壓力。在人工智能熱潮未消退的情況下，台積電競爭對手專注先進製程的研發製造。有消息稱，英特爾（intel）亞利桑那新晶圓廠18A先進製程已進入量產階段；三星（Samsung）美國廠打算跳過原本的4納米技術，直接導入2納米製程。 此外，美國政府持續推動“晶片法案”，希望吸引先進製程回流本土。美國商務部長盧特尼克日前接受美媒訪問時直言，會讓台積電在美國設廠投資超過2000億美元，創造3萬個工作機會。言論引發台灣各界對台積電變成“美積電”的疑慮加劇，擔憂會削弱台灣的產業優勢。（完） 相關新聞
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