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國家級創新中心將落戶香港 聚焦半導體研發分享到：
      香港中通社2月26日電 （記者 梁嘉軒）香港新一份財政預算案宣佈，特區政府將預留約2.2億港元建設國家製造業創新中心。創新科技及工業局局長孫東26日在記者會上表示，這將是首個國家在境外設立的國家級創新中心，會聚焦半導體研發。
孫東表示，香港微電子研發院的兩條第三代半導體芯片技術研發與試產的中試線，年內將投入運作，促進本地芯片研發和產業升級。另外，兩間半導體企業已獲“加速計劃”支持在港建廠，總投資超過15億港元。當局亦正就香港新型工業中長期發展進行研究，預計年內有初步研究結果及相應的政策措施，會諮詢立法會相關委員會。 工業專員葛明回應傳媒提問時表示，香港的創新中心將聚焦於極端環境下功率半導體的應用，重點攻克面向高頻、高壓、大功率、強輻射等極端環境應用的新一代功率半導體共性技術和先導技術問題，建立從芯片到模塊、材料到工藝、設備到系統的全鏈條技術研發和裝備驗證體系，形成覆蓋商業航天、高端裝備製造等新興領域的產品中試能力，填補國家在該領域的空白。（完） 相關新聞
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