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（中通論壇）日韓半導體擴產競速賽：問鼎新霸主，或陷產能過剩陷阱？分享到：
      香港中通社7月9日電 題：日韓半導體擴產競速賽：問鼎新霸主，或陷產能過剩陷阱？
香港中通社記者 王豐鈴 不到10天，全球存儲芯片製造商龍頭美光科技在日本政府支持下擴建廣島工廠，韓國總統宣布啟動“超級項目”釋放巨額半導體擴產投資，韓國芯片巨頭SK海力士赴美上市。日韓爭相展開擴產競速賽。 美光7月4日在日本廣島為新產能舉行破土典禮，加碼投資1.5萬億日元擴建高帶寬內存（HBM）廠房。日本政府將為該項目提供最高5360億日元補貼。 SK海力士7月6日修訂申報文件，衝刺10日在美國納斯達克掛牌上市。目前傳出超額認購7倍，有望改寫外國企業赴美IPO規模紀錄。 韓國總統李在明6月29日宣布“三大超級項目”，公開韓國史上最大規模的半導體與人工智能（AI）產業投資計劃，並將其定義為承載該國未來20至30年發展的“標誌性項目”。其中，三星電子和SK海力士將在韓國西南地區共同建設4座半導體晶圓廠，目標是在未來5年內將動態隨機存取內存（DRAM）產能提升一倍。 當前AI市場爆發式增長，存儲芯片出現全球性短缺，市場進入繁榮周期。SK海力士2026年全年的HBM及全系列存儲芯片產能已全部被客戶搶訂一空。三大存儲廠商正規劃於2027至2028年間大規模釋放HBM與DRAM產能。 中國（深圳）綜合開發研究院金融發展與國資國企研究所執行所長余凌曲9日對香港中通社記者表示，中、美等多國在建設數據中心及算力中心，短期來看，存儲芯片市場供需缺口很大，特別是HBM，也連帶造成DRAM短缺。日韓擴大產能符合行業周期性特徵。 余凌曲續指，日韓擔憂中國在高端芯片領域出現突破，希望鞏固優勢，強化“自留地”。韓國將國家資源向AI集中，主攻其最有優勢的存儲領域，以奠定競爭力，再拓展其他領域。海力士赴美上市即是希望利用美國資本市場擴大產能，提升競爭力。 不過，余凌曲分析，日韓企業擴產，或將面臨產能過剩的投資風險。“未來AI產業核心競爭力不在硬件，關鍵在於與千行百業垂直領域的結合能力，先進算力、高帶寬存儲或過剩。日韓企業當前大規模建設擴產，或未來3至4年後才能形成新產能，屆時會否過剩，也是個問題。此外，日韓擴產無法忽視中國單一最大市場的變化，若屆時中國的算力和芯片技術實現突破，日韓芯片或找不到市場。” 余凌曲認為，未來美日韓在先進製程芯片領域會抱團更緊，形成顯性產業聯盟，以應對中國競爭。但韓國的存儲芯片第一大出口國仍是中國，市場離不開中國。且中國在成熟製程芯片領域已基本實現完全自主知識產權和自製，也在突破高端芯片領域。妄圖打造“去中國化”的芯片產業鏈並不容易。（完） 相關新聞 |
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